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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MT29F4G08ABAEAH4:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F4G08ABAEAH4:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F4G08ABAEAH4:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F4G08ABAEAH4:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT29F4G08ABAEAH4:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F4G08ABAEAH4:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为美光科技（Micron Technology Inc.）的存储器产品，型号为MT29F4G08ABAEAH4:E TR，是一款NAND闪存芯片，常用于需要大容量非易失性存储的应用场景。该芯片具有4GB的存储容量，采用8位并行接口，适用于对数据存储可靠性与性能有一定要求的设备。 其主要应用场景包括： 1. 工业控制设备：如PLC、工业计算机等，用于存储程序代码与运行数据； 2. 消费类电子产品：如机顶盒、智能电视、便携式媒体播放器等； 3. 通信设备：例如路由器、交换机或基站模块，用于固件存储和日志记录； 4. 汽车电子系统：如车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪等； 5. 医疗仪器：用于图像数据或设备参数的存储； 6. 物联网（IoT）设备：作为本地数据缓存和存储单元。 该产品具备较强的环境适应性和稳定性，适合在复杂环境中长期运行，广泛应用于嵌入式系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 4GBIT VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F4G08ABAEAH4:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA（9x11） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |
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